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Microchip 扩展碳化硅(SiC)电源器件系列产品,助力在系统层面优化效率、尺寸和可靠

[ 产品新闻 ] 碳化硅、电源模块,Microchip 2020-03-19 09:02:37
业界希望基于碳化硅(SiC)的系统能最大程度地提升效率、减小尺寸和重量,从而帮助工程师创建创新的电源解决方案;这一需求正在持续、快速地增长。SiC技术的应用场景包括电动汽车、充电站、智能电网、工业电力系统和飞机电力系统等。Microchip Technology Inc.(美国微芯科技公司)今日宣布推出更小、更轻及效率更高的SiC电源模块,进一步丰富了其电源产品线。凭借新型SiC电源模块及各类单片机和模拟产品, Microchip能够满足客户对大功率系统控制、驱动和功率级电路等方面的需求,提供完整的系统解决方案。
 

Microchip的SiC系列产品包含以肖特基势垒二极管(SBD)为基础的700V、1200V和1700V商业级电源模块。除了提供不同的电流和封装方案之外,新推出的系列电源模块还采用双二极管(Dual Diode)、全桥(Full Bridge)、相脚(Phase Leg)、双共阴极(Dual Common Cathode)和三相桥(3-Phase bridge)等各种拓扑结构。SiC SBD模块可将多个SiC二极管芯片与可选件结合在一起,将基片和底板材料集成到单个模块,进而简化设计,最大程度地提升开关效率,减少温升并缩小系统尺寸。
 
Microchip分立器件事业部副总裁Leon Gross表示:“SiC技术的应用和拓展是当前系统创新的驱动力。作为行业领军者,Microchip正同所有细分市场和全球各地的客户开展合作。我们始终将提供可靠的新型解决方案作为业务重点。从产品定义到产品发布的各个阶段,我们的SiC技术提供优越的可靠性和稳健性,可帮助电力系统设计人员保障电力系统的长期运行,而不会降低系统性能。”
 
丰富多样的700V、1200V和1700V SiC SBD模块产品线采用Microchip最新一代的SiC芯片,可最大程度地提升系统可靠性和稳健性,保障电力系统的寿命和稳定性。这些器件的高雪崩性能可使系统设计人员减少对缓冲电路的需求。由于这些器件的体二极管具有稳定性,电力系统可在内部采用体二极管,避免长期运行后出现性能退化。Microchip内部检测和第三方检测显示,相比其他使用SiC制造的器件,这些器件在关键的可靠性指标上表现更佳。
 
开发工具
Microchip的30kW三相Vienna功率因数校正(PFC)功能、SiC分立器件和SP3/SP6L模块驱动参考设计/驱动板可帮助系统开发人员缩短开发周期。
 
供货
700V、1200V和1700V SiC SBD电源模块现已发布并开放订购。多个SiC SPICE模型、SiC驱动板参考设计和PFC Vienna参考设计为整个SiC产品系列提供支持。Microchip的SiC产品及其辅助产品现已实现量产。Microchip针对SiC MOSFET和SiC二极管提供各种裸片和封装方案。

Microchip Technology Inc. 简介
Microchip Technology Inc.是致力于智能、互联和安全的嵌入式控制解决方案的领先供应商。 其易于使用的开发工具和丰富的产品组合让客户能够创建最佳设计,从而在降低风险的同时减少系统总成本,缩短上市时间。Microchip的解决方案为工业、汽车、消费、航天和国防、通信以及计算市场中12万多家客户提供服务。Microchip总部位于美国亚利桑那州Chandler市,提供出色的技术支持、可靠的产品交付和卓越的质量。详情请访问公司网站www.microchip.com

Microchip的名称和徽标组合为Microchip Technology Incorporated在美国和其他国家或地区的注册商标在此提及的所有其他商标均为各持有公司所有。
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